晶体管及形成晶体管的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种晶体管，其包括顶部源极/漏极区域、底部源极/漏极区域、垂直位于所述顶部源极/漏极区域与所述底部源极/漏极区域之间的沟道区域，及以操作方式横向邻近所述沟道区域的栅极。所述沟道区域是结晶的且包括多个垂直伸长晶粒，所述垂直伸长晶粒个别地直接抵靠所述顶部源极/漏极区域及所述底部源极/漏极区域中的两个。本发明公开其它实施例，包含方法。
基本信息
专利标题 ：
晶体管及形成晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270530A
申请号 ：
CN202080055910.3
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-08-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·纳哈尔V·N·安东诺夫K·M·考尔道M·米奇刘鸿威J·B·赫尔
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202080055910.3
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/08 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/324
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20200806
申请日 : 20200806
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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