MOS晶体管及其形成方法
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摘要
本发明提供的一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管的形成方法中，根据得到的栅极结构和间隙壁的AEI CD动态调整离子注入的能量和/或剂量，可以降低不同晶圆上的芯片的饱和电流和阈值电压的均匀性，即，可以降低MOS晶体管的片间差异，从而降低了对具有该MOS晶体管的半导体器件的工作特性的影响。
基本信息
专利标题 ：
MOS晶体管及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110112070A
申请号 ：
CN201910347353.1
公开（公告）日 ：
2019-08-09
申请日 ：
2019-04-28
授权号 ：
CN110112070B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
刘冲曹秀亮
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
屈蘅
优先权 ：
CN201910347353.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-09-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20190428
申请日 : 20190428
2019-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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