本发明提供一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供一半导体衬底，半导体衬底内形成有相邻设置的源极、电流通道和漏极，半导体衬底上形成有多晶硅栅极，多晶硅栅极位于电流通道上，并在多晶硅栅极两侧的半导体衬底上形成第一光刻胶层；对多晶硅栅极依次进行第一次离子注入和碳族元素注入，再清除第一光刻胶层，并形成MOS晶体管，以通过碳族元素抑制了多晶硅栅极的多晶硅晶粒成长扩张速度，并抑制第一次退火工艺后多晶硅栅极的晶界长度，从而避免了在第二次离子注入工艺时有离子穿越多晶硅栅极并进入多晶硅栅极下方的电流通道中去，进而避免了源极和漏极导通的隧穿效应产生，避免了漏电的问题的出现。