沟槽型晶体管及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽的内部表面形成栅介质材料层；刻所述第一沟槽底部的栅介质材料层至暴露出所述第一沟槽的底部的基底，形成位于所述第一沟槽侧壁的栅介质层；继续沿所述第一沟槽刻蚀所述基底，在所述第一沟槽底部形成所述第二沟槽；在所述第二沟槽的内壁表面形成隔离层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内填充栅极。上述方法形成的沟槽型晶体管的性能得到提高。
基本信息
专利标题 ：
沟槽型晶体管及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496796A
申请号 ：
CN202210039022.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏峰相奇戴学春
申请人 ：
广东芯粤能半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区黄阁镇金茂西二街2号103房之六
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN202210039022.3
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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