晶体管器件和形成晶体管器件的方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种晶体管器件和形成晶体管器件的方法。可以提供一种晶体管器件，其包括：衬底；布置在衬底之上的缓冲层；布置在缓冲层之上的源极端子、漏极端子和栅极端子；布置在缓冲层之上的阻挡层；以及布置在阻挡层之上的钝化层。栅极端子可以横向布置在源极端子和漏极端子之间，阻挡层可以包括横向位于栅极端子和漏极端子之间的凹部，栅极端子的一部分可以布置在钝化层之上，以及钝化层可以延伸到阻挡层的凹部中。
基本信息
专利标题 ：
晶体管器件和形成晶体管器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530485A
申请号 ：
CN202111157038.6
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·李J·杰里约瑟夫林启荣L·彭L·S·苏赛
申请人 ：
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
林莹莹
优先权 ：
CN202111157038.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210930
申请日 : 20210930
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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