半导体器件中不同沟道长度的晶体管形成方法
公开
摘要
本申请公开了一种半导体器件中不同沟道长度的晶体管形成方法，包括：提供一半导体衬底，半导体衬底内包括多个被浅沟槽隔离结构隔离开的有源区；在各个需要形成凹槽的有源区的栅极位置处形成凹槽；在半导体衬底上依次沉积栅介质层、栅电极层，所述栅介质层覆盖每个有源区表面以及每个凹槽表面，所述栅电极层覆盖所述栅介质层的表面；对所述栅电极层和所述栅介质层进行刻蚀，以在每个有源区的栅极位置处形成栅极；在每个有源区的栅极侧壁形成侧墙，并在栅极两侧的半导体衬底中进行离子注入，以形成源漏极。本申请方案不需要复杂的工艺，既可以在半导体器件中形成不同沟道长度的晶体管，又对半导体器件中栅极的尺寸没有影响。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件中不同沟道长度的晶体管形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628326A
申请号 ：
CN202011434977.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
申靖浩李俊杰周娜
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011434977.6
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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