存储装置、凹陷沟道阵列晶体管

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摘要

本公开提供了一种存储装置和凹陷沟道阵列晶体管，属于存储技术领域。该凹陷沟道阵列晶体管包括有源区和栅极结构。其中，有源区设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；栅极结构包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且所述栅极绝缘层隔离所述有源区和所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述第二栅极绝缘层靠近所述凹槽通道的槽口的一侧，所述第二栅极绝缘层设于所述第一栅极绝缘层远离所述凹槽通道的槽口的一侧；所述第一栅极绝缘层的介电常数小于所述第二栅极绝缘层的介电常数。该凹陷沟道阵列晶体管能够提高阈值电压的均一性。

基本信息

专利标题：

存储装置、凹陷沟道阵列晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921025393.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-03

授权号：

CN209822642U

授权日：

2019-12-20

发明人：

刘志拯

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

王辉

优先权：

CN201921025393.6

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L21/8242