一种非平面沟道有机场效应晶体管
专利权的终止
摘要
本发明是一种非平面沟道场效应晶体管结构，包括衬底、栅极电极、绝缘层、源漏电极和有机半导体；其在衬底上沉积和图案化栅极以后，顺次构筑第一层绝缘层、源电极、第二层绝缘层和漏电极，最后沉积有机半导体层，至少包括一层有机膜。本发明金属层的厚度为30～300纳米，沟道长度0.3～150微米。
基本信息
专利标题 ：
一种非平面沟道有机场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1996636A
申请号 ：
CN200510130758.8
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
于贵狄重安刘洪民刘云圻刘新宇徐新军孙艳明王鹰吴德馨朱道本
申请人 ：
中国科学院化学研究所;中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村北一街2号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周国城
优先权 ：
CN200510130758.8
主分类号 ：
H01L51/05
IPC分类号 ：
H01L51/05 H01L51/40
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法律状态
2016-02-24 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101647542260
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利号 : ZL2005101307588
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20090304
终止日期 : 20141228
号牌文件序号 : 101647542260
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利号 : ZL2005101307588
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20090304
终止日期 : 20141228
2009-03-04 ：
授权
2007-09-05 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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