包括具有硅锗（SiGe）的沟道的场效应晶体管（FET）
实质审查的生效
摘要
一种器件，包括衬底和形成在衬底上方的第一晶体管。第一晶体管包括设置在衬底上方的第一源极、设置在衬底上方的第一漏极、耦合到第一源极和第一漏极的第一多个沟道、以及包围第一多个沟道的第一栅极。第一多个沟道位于第一源极和第一漏极之间。至少一个沟道包括硅锗(SiGe)。晶体管是场效应晶体管(FET)。晶体管是栅极全包围(GAA)FET。晶体管可以被配置为作为负沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管操作。晶体管可以被配置为作为正沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管操作。
基本信息
专利标题 ：
包括具有硅锗（SiGe）的沟道的场效应晶体管（FET）
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556587A
申请号 ：
CN202080072246.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
K·林S·S·宋袁骏K·雷姆
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202080072246.3
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/423 H01L27/092 H01L21/8238
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20200901
申请日 : 20200901
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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