具有未重叠双衬里的应变沟道场效应晶体管对的结构和方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供了一种结构，其中半导体器件区具有第一部分和第二部分，以及设置在第一和第二部分中的器件。导电部件水平地在第一部分上但不在第二部分上延伸。介质区，设置在该部件上，具有基本上平坦的上表面，介质区基本上覆盖被器件占据的半导体器件区的所有区域。在被器件占据的基本所有区域上，介质阻挡层覆盖介质区的上表面。阻挡层适于基本上阻止一种或多种材料从阻挡层上扩散到介质区中。接触过孔延伸穿过阻挡层和介质区，接触过孔与部件和半导体器件区的第二部分中的至少一个导电连通。
基本信息
专利标题 ：
具有未重叠双衬里的应变沟道场效应晶体管对的结构和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790699A
申请号 ：
CN200510114318.3
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨海宁
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510114318.3
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2008-10-01 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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