场效应晶体管
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供一种场效应晶体管，该场效应晶体管具有有机半导体部分，并且通过提高所述有机半导体部分的驱动稳定性来减小因驱动导致的特性变化。所述场效应晶体管含有栅绝缘部分、有机半导体部分、以及源极和漏极，该场效应晶体管的特征在于，当在70℃下向栅施加使所述栅绝缘部分中的电场强度达到100±5MV/m的电压5.0±0.1小时时，阈值电压的变化在5V以内。
基本信息
专利标题 ：
场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101032031A
申请号 ：
CN200580033078.2
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
荒牧晋司芳山龙一大野玲酒井良正
申请人 ：
三菱化学株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁香兰
优先权 ：
CN200580033078.2
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L51/05
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007040022
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利申请号 : 2005800330782
公开日 : 20070905
号牌文件序号 : 101007040022
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利申请号 : 2005800330782
公开日 : 20070905
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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