鳍片场效应晶体管及制造鳍片场效应晶体管的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
用应力材料替代FINFET的栅极的一部分以给FINFET的沟道施加应力以提高电子和空穴迁移率并提高性能。FINFET具有SiGe/Si叠层栅极，并且在栅极的SiGe部分硅化之前有选择地蚀刻以形成栅极间隙，所述栅极间隙使栅极足够薄以便完全硅化。在硅化后，用应力氮化物膜填充栅极间隙以在沟道中产生应力并提高FINFET的性能。
基本信息
专利标题 ：
鳍片场效应晶体管及制造鳍片场效应晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848454A
申请号 ：
CN200610007485.2
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱慧珑B·B·多里斯
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200610007485.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
相关图片
法律状态
2017-11-24 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
2017-11-24 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
2009-01-14 ：
授权
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100452432C.PDF
PDF下载
2、
CN1848454A.PDF
PDF下载
