功率纵向场效应晶体管及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种制造纵向场效应晶体管器件的方法，所述方法包括；制成-n型源层12；制成-P+掺碳栅层14；由栅层制成一栅结构；在栅结构上制成-n型漏层以得到一隐埋式掺碳栅结构。所述隐埋式掺碳栅结构提供一小型化且具有良好的导通电阻，结电容，栅极电阻和栅极驱动电压的器件。本发明还包括了其它的器件和方法。
基本信息
专利标题 ：
功率纵向场效应晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1092555A
申请号 ：
CN93105337.4
公开（公告）日 ：
1994-09-21
申请日 ：
1993-04-30
授权号 ：
CN1032172C
授权日 ：
1996-06-26
发明人 ：
袁汉中唐纳德·L·普鲁顿泰·S·基姆弗朗西斯·J·莫里斯
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
上海专利商标事务所
代理人 ：
竹民
优先权 ：
CN93105337.4
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/76
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2010-07-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004178290
IPC(主分类) : H01L 21/335
专利号 : ZL931053374
申请日 : 19930430
授权公告日 : 19960626
号牌文件序号 : 101004178290
IPC(主分类) : H01L 21/335
专利号 : ZL931053374
申请日 : 19930430
授权公告日 : 19960626
1996-06-26 ：
授权
1995-07-12 ：
实质审查请求的生效
1994-09-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1032172C.PDF
PDF下载
2、
CN1092555A.PDF
PDF下载
