隧穿场效应晶体管及其制造方法

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摘要

本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底上通过STI工艺定义有源区域，并在有源区域中间表面制作牺牲栅，在一侧进行离子注入形成线遂穿结的离子掺杂部分，然后再制作牺牲栅隔离墙以保护上述离子掺杂部分，然后制作其他的隔离墙以及再次进行离子注入形成源区和漏区，漏区的离子浓度低于或者等于离子掺杂部分的离子浓度，再移除牺牲栅，然后依次沉积栅介质层、功函数层和栅导电层，制作源电极和漏电极形成隧穿场效应晶体管，通过该种方式可以精确定义线遂穿结的面积，能够保证晶圆上器件性能一致，有效提高工艺稳定性。

基本信息

专利标题：

隧穿场效应晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109478562A

申请号：

CN201680087741.5

公开（公告）日：

2019-03-15

申请日：

2016-11-17

授权号：

CN109478562B

授权日：

2022-04-22

发明人：

杨喜超张臣雄

申请人：

华为技术有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

陈文军

优先权：

CN201680087741.5

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L21/331