纵向场效应晶体管及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种纵向场效应晶体管，具备：由使带电粒子移动的多个纳米线的束构成的活性区域(110)；与活性区域(110)的下端连接且作为源极区域和漏极区域的其中一方发挥功能的下部电极(120；与活性区域(110)的上端连接且作为源极区域和漏极区域的另一方发挥功能的上部电极(130)；控制活性区域(110)的至少一部分的导电性的栅极(150)；以及，使栅极(150)与纳米线电绝缘的栅极绝缘膜。上部电极(130)，隔着电介质部(140)位于下部电极(120)之上，并具有从电介质部(140)的上面横向突出的突出部分(130a、130b)。由纳米线的束构成的活性区域(110)，配置在上部电极(130)的突出部分(130a、130b)的正下方。

基本信息

专利标题：

纵向场效应晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1906771A

申请号：

CN200580001762.2

公开（公告）日：

2007-01-31

申请日：

2005-09-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

川岛孝启斋藤彻高木刚

申请人：

松下电器产业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

优先权：

CN200580001762.2

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L29/12 H01L29/06 H01L29/78