纵向双极晶体管的制造方法和集成电路
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摘要
一种用于在单个管芯上制造具有不同击穿电压和高频性能特性的纵向双极晶体管的方法包括，对于每个纵向双极晶体管，形成埋入式集电区、和在埋入式集电区上方的基区和发射区。对于每个纵向双极晶体管，选择基区和发射区以及埋入式集电区的横向延伸部分和位置，以在基区和发射区以及埋入式集电区之间建立重叠，如上所示，其中选择至少一些重叠使之不同。
基本信息
专利标题 ：
纵向双极晶体管的制造方法和集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773683A
申请号 ：
CN200510119946.0
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·阿尔戈特松K·安德松H·诺尔斯特伦
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴立明
优先权 ：
CN200510119946.0
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331 H01L27/082
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2009-09-23 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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