一种纵向双极结型晶体管版图结构
实质审查的生效
摘要
一种纵向双极结型晶体管版图结构，属于半导体集成电路领域。所述纵向双极结型晶体管版图结构利用环状的发射区包围基极。包括：衬底，位于所述衬底中的集电区，被集电区从四周及下方包裹的基区，被基区从四周及下方包裹的、呈环形的发射区，被发射区环绕的基极。解决了现有纵向三极管为降低在大电流情况下发射结电流集边效应而造成版图面积增大、发射极去偏置效应增加的问题。能够增强大电流情况下晶体管的性能，减小版图面积，并且能够兼容现有的双极工艺，符合半导体集成电路的发展趋势及产业化需求。广泛应用于半导体功率晶体管技术领域。
基本信息
专利标题 ：
一种纵向双极结型晶体管版图结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335157A
申请号 ：
CN202111549343.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周文质唐毓尚胡锐包磊梁真文彭俊王斌贺京锋
申请人 ：
贵州振华风光半导体股份有限公司
申请人地址 ：
贵州省贵阳市乌当区新添大道北段238号
代理机构 ：
贵阳中工知识产权代理事务所
代理人 ：
刘安宁
优先权 ：
CN202111549343.X
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L29/423 H01L29/732
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/08
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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