双极结型晶体管（BJT）结构及相关方法
公开
摘要
本公开的实施例提供了双极结型晶体管(BJT)结构及相关方法。根据本公开的BJT可以包括位于半导体衬底之上的基极。集电极位于半导体衬底之上并横向邻接基极的第一水平端。发射极位于半导体衬底之上并横向邻接基极的与第一水平端相反的第二水平端。发射极和基极之间的水平界面小于集电极和基极之间的水平界面。
基本信息
专利标题 ：
双极结型晶体管（BJT）结构及相关方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582968A
申请号 ：
CN202111451235.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
亚历山大·德里克森杨满圭理查德·泰勒三世贾加尔·辛格亚历山大·马丁
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111451235.9
主分类号 ：
H01L29/735
IPC分类号 ：
H01L29/735 H01L29/423
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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