具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管
实质审查的生效
摘要
本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管(HBT)以及制造方法。该结构包括：富陷阱隔离区，其嵌入在体衬底内；以及异质结双极型晶体管，其位于富陷阱隔离区上方，其子集电极区通过体衬底的层与富陷阱隔离区分隔。
基本信息
专利标题 ：
具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388497A
申请号 ：
CN202111198693.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
V·贾因A·K·斯坦珀J·J·埃利斯-莫纳甘S·M·尚克R·克里希纳萨米
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111198693.6
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L29/737 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/06
申请日 : 20211014
申请日 : 20211014
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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