掩埋异质结结构及其制备方法、激光器
公开
摘要
本发明涉及一种掩埋异质结结构及其制备方法、激光器，包括：在P型衬底层上依次生长外延层和图形化的N型光栅层，其中，外延层包括由下至上层叠设置的P型缓冲层、P型限制层、P型波导层、量子阱有源层、N型波导层、N型限制层和N型缓冲层；在图形化的N型光栅层上依次生长光栅掩埋层、牺牲层和图形化的硬掩膜层；通过图形化的硬掩膜层刻蚀牺牲层、光栅掩埋层、图形化的N型光栅层、外延层以及P型衬底的两侧，以形成两侧的台面；在各台面上生长电流限制结构，电流限制结构用于限制漏电流；去除图形化的硬掩膜层和牺牲层；在光栅掩埋层和电流限制结构的表面依次生长联接层、势垒层和欧姆接触层，以实现低阈值的掩埋异质结结构的制备。
基本信息
专利标题 ：
掩埋异质结结构及其制备方法、激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597764A
申请号 ：
CN202210163029.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
单智发张永张双翔姜伟陈阳华
申请人 ：
全磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区同龙二路567号第一、二、三层
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
纪婷婧
优先权 ：
CN202210163029.6
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20 H01S5/34 H01S5/343 H01S5/02
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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