一种系统级异质集成封装结构及其制备方法

实质审查的生效

摘要

本发明涉及一种系统级异质集成封装结构及其制备方法，属于集成电路晶圆级封装技术领域。所述一种系统级异质集成封装结构包括功能芯片A和带TSV结构的功能芯片B形成的垂直互联结构，所述带TSV结构的功能芯片B首先键合到载片晶圆上，再通过晶圆级键合使得功能芯片A和带TSV结构的功能芯片B形成垂直互联结构，将所述垂直互联结构经过再布线后形成三维封装体。本发明利用芯片与晶圆晶圆与晶圆的金属间键合等工艺制备出芯片与芯片的高精度垂直互联结构，再对垂直互联结构进行先进封装，封装密度和效率高，能够实现系统间多功能互联。

基本信息

专利标题：

一种系统级异质集成封装结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114334905A

申请号：

CN202111451555.4

公开（公告）日：

2022-04-12

申请日：

2021-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

夏鹏程赵伟张鹏王成迁

申请人：

中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请人地址：

江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

代理机构：

无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

叶昕

优先权：

CN202111451555.4

主分类号：

H01L23/538

IPC分类号：

H01L23/538 H01L21/683 H01L21/768 H01L21/60

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/538

制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构

法律状态

2022-04-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20211130

2022-04-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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