一种制备晶圆级异质集成衬底的设备

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型提供了一种制备晶圆级异质集成衬底的设备，包括：用于键合晶圆的键合腔；用于对所述晶圆进行温度调整的退火腔；用于在所述键合腔与所述退火腔之间传送所述晶圆的晶圆传送装置，其连接所述键合腔与所述退火腔。本实用新型通过对键合晶圆进行温度控制，解决了不同材质晶圆间较大的热适配问题；通过弹性缓冲构件使对晶圆所施加的键合压力更平稳；在不破坏设备腔内真空的前提下实现大量离子注入的单晶晶圆薄膜的剥离与转移，制备得到晶圆级单晶薄膜，极大地提高了异质晶圆键合集成的质量与效率。

基本信息

专利标题：

一种制备晶圆级异质集成衬底的设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922170818.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-06

授权号：

CN211150519U

授权日：

2020-07-31

发明人：

欧欣李忠旭赵晓蒙陈阳黄凯

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

上海市长宁区长宁路865号

代理机构：

上海泰能知识产权代理事务所

代理人：

宋缨

优先权：

CN201922170818.9

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-04-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/67
登记生效日 : 20220330
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
变更后权利人 : 上海新硅聚合半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200050 上海市长宁区长宁区长宁路865号
变更后权利人 : 201800 上海市嘉定区新徕路168号2幢2层A区

2020-07-31 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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