本实用新型提供一种晶圆级SIP模组结构，包括：第一塑封层；导电柱，位于第一塑封层内；芯片，位于第一塑封层内；重新布线层，位于第一塑封层的上表面，且与导电柱及芯片电连接；第二塑封层，位于重新布线层的上表面；连接器，位于重新布线层的上表面，且位于第二塑封层内；连接器与重新布线层电连接；焊料凸块，位于第一塑封层的下表面，且与导电柱电连接。本实用新型的晶圆级SIP模组结构可以实现正面晶圆作业工艺，均匀性较好；正反两面导通工序简单，可以根据实际需要设定不同尺寸的导电柱；导电柱之间的间隙较小，集成度高；重新布线层可以为多层堆叠结构，可以根据实际需要调整重新布线层中金属线层的层数及厚度。