晶圆级扇出结构及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种晶圆级扇出结构及制备方法，晶圆级扇出结构包括：多个芯片、片状结构和塑封层，所述塑封层包覆所述多个芯片和所述片状结构，所述片状结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域为间隔设置的多个开孔，每一开孔均和所述第二区域相邻，所述多个芯片和所述多个开孔一一对应，且每一芯片位于对应的一个开孔中；其中，所述塑封层的杨氏模量小于所述片状结构的杨氏模量，且所述第一区域的面积和所述第二区域的面积的比值为0.5～2：1。上述晶圆级扇出结构可显著降低封装翘曲，兼具较佳的封装强度。
基本信息
专利标题 ：
晶圆级扇出结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464579A
申请号 ：
CN202210198835.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐霞徐虹陈海杰
申请人 ：
江阴长电先进封装有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
常伟
优先权 ：
CN202210198835.7
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20220302
申请日 : 20220302
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
