电容结构及其制备方法
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摘要
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种电容结构及其制备方法，用于解决电容结构性能较差的技术问题。该电容结构的制备方法包括：在第一电极上形成介电层，介电层包括掺杂有预设氧化物的金属氧化物层，且部分预设氧化物与金属氧化物共用氧原子；在介电层上形成第二电极，第一电极、介电层和第二电极形成电容结构。通过形成部分预设氧化物与部分金属氧化物共用氧原子的金属氧化物层，可以减少氧的含量，从而减小预设氧化物导致电容结构的介电常数降低的影响，以提高电容结构的性能。此外，使得预设氧化物可以较好地掺杂在金属氧化物层中，进一步提高电容结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
电容结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112928210A
申请号 ：
CN202110150428.4
公开（公告）日 ：
2021-06-08
申请日 ：
2021-02-03
授权号 ：
CN112928210B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
苏星松白卫平郁梦康
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张娜
优先权 ：
CN202110150428.4
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-06-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20210203
申请日 : 20210203
2021-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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