电容器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种电容器制备方法包括:提供衬底,在衬底上堆叠设置有第一牺牲层、中间支撑层及第二牺牲层;形成下电极,下电极贯穿第二牺牲层、中间支撑层及第一牺牲层,下电极与衬底内的导电垫电连接;在第二牺牲层及下电极顶面形成顶部支撑层;图案化顶部支撑层,并去除第二牺牲层;图案化中间支撑层,并去除第一牺牲层;形成介质层,介质层覆盖衬底、下电极、中间支撑层暴露的表面及顶部支撑层暴露的表面;形成上电极,上电极覆盖介质层表面。本公开实施例提供制备方法能够形成仅覆盖下电极顶面的顶部支撑层,下电极的侧面并未被顶部支撑层覆盖,增大了下电极暴露区域的面积,进而增大了电容器的存储电容,且能够维持电容器不倾斜,满足了用户需求。
基本信息
专利标题 :
电容器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114512446A
申请号 :
CN202210132879.X
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-02-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
彭敏
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
高翠花
优先权 :
CN202210132879.X
主分类号 :
H01L21/8242
IPC分类号 :
H01L21/8242 H01L49/02 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20220214
申请日 : 20220214
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载