电容器的制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体加工制造领域，具体涉及一种电容器的制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底的上部依次形成第一氧化层、支撑层以及第二氧化层；形成贯穿所述第一氧化层、支撑层以及第二氧化层的沟槽；在所述沟槽内依次形成下电极层、电介质层、上电极层；其中，在形成所述支撑层时进行持续升温，以使得所述支撑层对所述电容器施加横向压力。这样可以在不改变圆柱形电容器形状(例如厚度、结构)和材质的基础上，圆柱形电容器能够储存更多的电量，从而增加电容器的电容量。
基本信息
专利标题 ：
电容器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447221A
申请号 ：
CN202011223608.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田范焕梁时元白国斌高建峰王桂磊丁明正丁云凌
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011223608.2
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/108
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20201105
申请日 : 20201105
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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