一种电容器结构及其制备方法、半导体结构及其制备方法
公开
摘要
本公开实施例公开了一种电容器结构及其制备方法、半导体结构及其制备方法，其中，所述电容器结构包括衬底以及设置于所述衬底上的第一电极、第一介质层和第二电极，其中，所述第一电极包括至少两个在垂直于所述衬底方向上连续设置且依次连接的子电极，至少两个所述子电极中，至少一个所述子电极在所述衬底上的正投影覆盖另一个所述子电极在所述衬底上的正投影；所述第一介质层设置于所述第一电极至少部分外表面；所述第二电极设置于所述第一介质层至少部分外表面，且所述第二电极与所述第一电极绝缘设置。
基本信息
专利标题 ：
一种电容器结构及其制备方法、半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582873A
申请号 ：
CN202210484668.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曺奎锡
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈万青
优先权 ：
CN202210484668.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L49/02 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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