半导体结构以及电容器的制造方法
公开
摘要
本发明提供的一种半导体结构以及电容器的制造方法，涉及半导体技术领域，包括半导体衬底；还包括多个电容器，多个所述电容器设置在所述半导体衬底上；其中，所述电容器为经过干法刻蚀去除最底层的高温碳化物牺牲模制层而得到的电容器；还包括至少一层支撑层，所述支撑层按照所述电容器的排布结构进行图案化处理，以对多个所述电容器形成支撑固定。在上述技术方案中，该堆叠结构中至少最底层的模制层材料为高温碳化物，该高温碳化物可以使用干法刻蚀工艺来去除，因此，在对最底层的模制层去除的过程中就可以不再使用湿法腐蚀，从而直接避免因湿法腐蚀导致的电容倾斜问题，提升器件性能与良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构以及电容器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628388A
申请号 ：
CN202011444893.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张铉瑀许民吴容哲杨涛胡艳鹏高建峰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011444893.0
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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