半导体结构及半导体结构的制造方法
公开
摘要
本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括衬底；位于衬底上若干分立的下电极；位于下电极之间的第一介质层和第二介质层；其中，第二介质层位于第一介质层和下电极之间，且第二介质层的上部厚度小于第二介质层的底部厚度。通过使得第二介质层的上部厚度小于第二介质层的底部厚度，即第二介质层的底部相对于第二介质层的上部较厚，可以避免下电极的底部出现漏电流的问题，从而改善半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597210A
申请号 ：
CN202011431331.2
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏星松刘洋浩郁梦康白卫平
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN202011431331.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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