MIM电容及其制备方法
授权
摘要
本发明提供一种MIM电容及其制备方法。该方法包括：在半导体衬底上制作电极；形成第一介质层；在第一介质层制作第一通孔和第一段第二通孔，在第一通孔中形成与下极板电极连接的下极板金属连接结构，在第一段第二通孔中形成与上极板电极连接的第一段上极板金属连接结构；在第一介质层上制作下极板；形成第二介质层；在第二介质层制作第二段第二通孔，在第二段第二通孔中淀积金属，形成第二段上极板金属连接结构；在第二介质层上制作上极板。上述制备过程中，干法刻蚀形成通孔的过程中不会刻蚀到上极板和下极板，不会在上极板和下极板的任一个表面沉积等离子体电荷，不会影响金属在通孔内的粘附性，从而提升MIM电容的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
MIM电容及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114242696A
申请号 ：
CN202210171602.8
公开（公告）日 ：
2022-03-25
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
CN114242696B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
赵东艳王于波陈燕宁郁文刘芳吴波余山王凯刘倩倩董广智
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
李红
优先权 ：
CN202210171602.8
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2022-04-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-03-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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