电容结构及电容结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种电容结构及电容结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的底部电极复合层，所述底部电极复合层包括第一电极层和位于第一电极层上的第二电极层，所述第二电极层材料的氧化速率小于第一电极层材料的氧化速率；位于底部电极复合层上的介电结构层。所述电容结构的性能得到提升。
基本信息
专利标题 ：
电容结构及电容结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373732A
申请号 ：
CN202011104674.8
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪昌州
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011104674.8
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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