双面电容结构及其形成方法
授权
摘要

本发明涉及一种双面电容结构及其形成方法。所述双面电容结构的形成方法包括如下步骤:提供一基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底内的电容触点、位于所述衬底表面的叠层结构、以及贯穿所述叠层结构并暴露所述电容触点的电容孔,所述叠层结构包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的牺牲层和支撑层;依次形成第一电极层、第一电介质层和第二电极层于所述电容孔的内壁;填充第一导电材料于所述电容孔内,形成第一导电填充层;完全去除若干层牺牲层和/或支撑层,使得至少残留两层支撑层;形成第二电介质层、以及覆盖与所述第二电介质层表面的第三电极层。本发明减少甚至是避免了电极坍塌和倾覆的风险,同时有助于增大电容器的电容值。

基本信息
专利标题 :
双面电容结构及其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113314669A
申请号 :
CN202010123241.0
公开(公告)日 :
2021-08-27
申请日 :
2020-02-27
授权号 :
CN113314669B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
陆勇
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙佳胤
优先权 :
CN202010123241.0
主分类号 :
H01L49/02
IPC分类号 :
H01L49/02  H01L27/108  
法律状态
2022-06-10 :
授权
2021-09-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20200227
2021-08-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332