电容介电层及其形成方法与电容器
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种电容介电层，其包括第一介电层、第二介电层以及氮化硅叠层。其中，氮化硅叠层位于第一介电层与第二介电层之间。此电容介电层的结构可利用降低其厚度，以提高单位面积电容值，且可避免产生漏电流增加与击穿电压降低等问题。
基本信息
专利标题 ：
电容介电层及其形成方法与电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101034702A
申请号 ：
CN200610058936.5
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王之俊陈新兴蒋裕和
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610058936.5
主分类号 ：
H01L27/00
IPC分类号 ：
H01L27/00 H01L27/02 H01L27/06 H01L27/102 H01L27/108 H01L29/92 H01L21/00 H01L21/02 H01L21/31 H01L21/82 H01L21/8222 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
法律状态
2011-09-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101183792989
IPC(主分类) : H01L 27/00
专利申请号 : 2006100589365
公开日 : 20070912
号牌文件序号 : 101183792989
IPC(主分类) : H01L 27/00
专利申请号 : 2006100589365
公开日 : 20070912
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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