介电层的制造方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

一种介电层的制造方法，首先提供一衬底，并于衬底上形成介电层。然后，对介电层进行氮化工艺。然后，对介电层进行第一退火工艺，第一退火工艺所使用的气体为含有不活泼气体与氧气的第一气体，其中第一气体的不活泼气体对氧气具有第一分压比。之后，对介电层进行第二退火工艺，第二退火工艺所使用的气体为含有不活泼气体与氧气的第二气体，其中第二气体的不活泼气体对氧气具有第二气体分压比，且第二气体分压比小于第一气体分压比。此外，二次退火工艺中至少有一次温度要在950℃以上。此发明方法可使介电层中的氮掺杂剂分布均匀。

基本信息

专利标题：

介电层的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1953144A

申请号：

CN200510118135.9

公开（公告）日：

2007-04-25

申请日：

2005-10-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王俞仁颜英伟龙健华詹书俨黄国泰

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510118135.9

主分类号：

H01L21/3105

IPC分类号：

H01L21/3105 H01L21/3115