介电层以及形成此介电层之组合物及方法
专利权的终止
摘要
一种用以制造介电层之组合物，其包括一种用以作为高介电前驱物的液态有机金属化合物、一种感光型或非感光型高分子介质及溶剂，其中液态的有机金属化合物如Al、Ti、Zr、Ta、Si、Ba、Ge或Hf的金属烷氧化物。此组合物所形成的介电层除了包括感光型或非感光型高分子介质之外，在感光型或非感光型高分子介质中还具有非晶相的金属氧化物。
基本信息
专利标题 ：
介电层以及形成此介电层之组合物及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009223A
申请号 ：
CN200610002340.3
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林蔚伶林鹏胡堂祥陈良湘
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
王昕
优先权 ：
CN200610002340.3
主分类号 ：
H01L21/288
IPC分类号 ：
H01L21/288 H01L21/312 H01L29/51 H01L51/30
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/288
液体的沉积，例如，电解沉积
法律状态
2020-01-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/288
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20090624
终止日期 : 20190126
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20090624
终止日期 : 20190126
2009-06-24 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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