改善介电层过程形成的集成电路的击穿电压的方法和装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用于沉积介电层的方法和装置。所述装置包括：配置成用于介电层沉积过程的半导体处理室，半导体处理室与至少长、宽、高以及体积相关联；一个或多个气源，包含用于阻挡层沉积过程的一种或多种气体；以及耦合到一个或多个气源的一个或多个气流控制器，一个或多个气流控制器配置成在半导体处理期间向半导体处理室提供一个或多个受控量的一个或多个气流。耦合到一个或多个气流控制器以接收来自一个或多个气流控制器的一个或多个气流的一个或多个气体管道以及抽吸系统耦合到半导体处理室，抽吸系统配置成从半导体处理室或一个或多个气体管道移除一定量气体。三通阀耦合到抽吸系统和处理室，三通阀配置成允许一个或多个气流被送到抽吸系统或处理室。
基本信息
专利标题 ：
改善介电层过程形成的集成电路的击穿电压的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1978701A
申请号 ：
CN200510111131.8
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
侯冠正蓝受龙董锐汪钉崇
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510111131.8
主分类号 ：
C23C16/513
IPC分类号 ：
C23C16/513 C23C16/52 C23C16/448 H01L21/31
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2010-01-13 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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