由铝硅酸盐前体形成的低k值介电层
专利权的终止
摘要
一种用于用铝硅酸盐前体形成高机械强度、低k值、层间介电材料使得铝容易地被结合到材料的硅基质中的方法，和一种包含一个或多个这样形成的高强度、低k值层间介电层的集成电路设备。
基本信息
专利标题 ：
由铝硅酸盐前体形成的低k值介电层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053070A
申请号 ：
CN200580035778.5
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·古纳
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吕彩霞
优先权 ：
CN200580035778.5
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316 C23C16/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2020-10-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/316
申请日 : 20051108
授权公告日 : 20100721
终止日期 : 20191108
申请日 : 20051108
授权公告日 : 20100721
终止日期 : 20191108
2010-07-21 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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