低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供了一种低介电材料的回复方法，是应用于形成有低介电材料的衬底上，此衬底已经过先前工艺，致使低介电材料的介电常数升高。此回复方法的特征在于对低介电材料进行等离子体处理，以降低其介电常数。
基本信息
专利标题 ：
低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1953143A
申请号 ：
CN200510108665.5
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈美玲陈哲明赖国智苏文杰
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510108665.5
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/4757
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2009-05-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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