一种低介电聚酰亚胺、低介电聚酰亚胺薄膜、制备方法及其应用
公开
摘要
本发明公开了一种低介电聚酰亚胺薄膜，包括低介电聚酰亚胺，还包括引入含氟单体与所述低介电聚酰亚胺复合，制备聚酰亚胺基体材料层，再将氟化石墨烯纳米片引入到所述聚酰亚胺材料层内，得到低介电聚酰亚胺薄膜。本发明还提供了该低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法及应用。本发明的有益效果在于：减少5G高频下的串扰和信号损耗；具有低热膨胀系数、良好光学性能、出色的耐热及机械性能。
基本信息
专利标题 ：
一种低介电聚酰亚胺、低介电聚酰亚胺薄膜、制备方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114605637A
申请号 ：
CN202011442314.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张步峰廖波钱心远
申请人 ：
株洲时代华鑫新材料技术有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市渌口区南洲新区江边村（南洲产业园内B2栋2单元208）
代理机构 ：
深圳市兴科达知识产权代理有限公司
代理人 ：
殷瑜
优先权 ：
CN202011442314.9
主分类号 ：
C08G73/10
IPC分类号 ：
C08G73/10 C08L79/08 C08K3/04 C08J5/18 H05K5/02 H05K9/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G73/00
不包括在C08G12/00到C08G71/00组内的，在高分子主链中形成含氮的键合，有或没有氧或碳键合反应得到的高分子化合物
C08G73/06
在高分子主链中有含氮杂环的缩聚物；聚酰肼；聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺母体
C08G73/10
聚酰亚胺；聚酯-酰亚胺；聚酰胺-酰亚胺；聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺的母体
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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