具有改良介电性质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种具有改良介电性质的聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜包含嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包含：第一嵌段，所述第一嵌段是使包含二苯酮四甲酸二酐(BTDA)及联苯四甲酸二酐(BPDA)的二酐成分与包含对苯二胺(PPD)的二胺成分发生酰亚胺化而获得的；以及第二嵌段，所述第二嵌段是使包含联苯四甲酸二酐(BPDA)及均苯四甲酸二酐(PMDA)的二酐成分与包含间联甲苯胺(m‑tolidine)的二胺成分发生酰亚胺化而获得的。
基本信息
专利标题 ：
具有改良介电性质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616271A
申请号 ：
CN201980101955.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵珉相白承烈田珍硕
申请人 ：
聚酰亚胺先端材料有限公司
申请人地址 ：
韩国忠清北道
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
李光辉
优先权 ：
CN201980101955.7
主分类号 ：
C08J5/18
IPC分类号 ：
C08J5/18 C08G73/10 B32B27/28 B32B15/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08J
加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理
C08J5/00
含有高分子物质的制品或成形材料的制造
C08J5/18
薄膜或片材的制造
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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