低介电质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及减少气泡数量的低介电质的聚酰亚胺薄膜及包含该薄膜的聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明提供一种聚酰亚胺薄膜，该聚酰亚胺薄膜是使包含二酐成分和二胺成分的聚酰胺酸溶液发生酰亚胺化而获得的，并包含磷(P)类化合物，其中，所述二酐成分包含联苯四甲酸二酐(BPDA)及均苯四甲酸二酐(PMDA)，所述二胺成分包含二胺基二苯醚(ODA)、对苯二胺(PPD)及间联甲苯胺(m‑tolidine)。
基本信息
专利标题 ：
低介电质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616269A
申请号 ：
CN201980101939.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵珉相白承烈田珍硕李吉男
申请人 ：
聚酰亚胺先端材料有限公司
申请人地址 ：
韩国忠清北道
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
李光辉
优先权 ：
CN201980101939.8
主分类号 ：
C08J5/18
IPC分类号 ：
C08J5/18 C08G73/10 C08K5/521
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08J
加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理
C08J5/00
含有高分子物质的制品或成形材料的制造
C08J5/18
薄膜或片材的制造
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
