高耐热及低介电质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种高耐热及低介电特性的聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜包含嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包含：第一嵌段，所述第一嵌段是使包含二苯酮四甲酸二酐及联苯四甲酸二酐的二酐成分与包含对苯二胺的二胺成分发生酰亚胺化而获得的；以及第二嵌段，所述第二嵌段是使包含二苯酮四甲酸二酐及均苯四甲酸二酐的二酐成分与包含间联甲苯胺的二胺成分发生酰亚胺化而获得的。
基本信息
专利标题 ：
高耐热及低介电质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616270A
申请号 ：
CN201980101953.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵珉相
申请人 ：
聚酰亚胺先端材料有限公司
申请人地址 ：
韩国忠清北道
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
李光辉
优先权 ：
CN201980101953.8
主分类号 ：
C08J5/18
IPC分类号 ：
C08J5/18 C08G73/10 B32B27/28 B32B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08J
加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理
C08J5/00
含有高分子物质的制品或成形材料的制造
C08J5/18
薄膜或片材的制造
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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