一种超低介电多孔聚酰亚胺薄膜及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种超低介电多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法。所述多孔聚酰亚胺薄膜采用芳香族二酐和二胺作为聚合单体，离子液体1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐([BMIM][BF4])作为致孔剂，通过原位聚合和共混的方法制备了20～40μm的薄膜，薄膜的介电常数为1.50～2.84。聚合过程中涉及的氨基总量与酸酐基总量的摩尔比为1：1，[BMIM][BF4]在整个体系中所占的体积分数为0～85vol％。该多孔聚酰亚胺薄膜具有超低的介电常数、良好的热稳定性、优异的疏水和吸波性能，在柔性电路板、微电子封装、国防及航空航天等领域具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种超低介电多孔聚酰亚胺薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114426698A
申请号 ：
CN202210241681.5
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
查俊伟董晓迪郑明胜
申请人 ：
北京科技大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路30号
代理机构 ：
北京市广友专利事务所有限责任公司
代理人 ：
张仲波
优先权 ：
CN202210241681.5
主分类号 ：
C08J9/28
IPC分类号 ：
C08J9/28 C08L79/08 C08G73/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08J
加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理
C08J9/00
高分子物质加工成多孔或蜂窝状制品或材料：它们的后处理
C08J9/28
从高分子的组合物或物体中去掉液相，如凝结块的干燥
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08J 9/28
申请日 : 20220311
申请日 : 20220311
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
