一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法
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摘要
本发明公开了一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)铸膜液制备:将聚偏氟乙烯树脂加入到有机溶剂中,加热搅拌溶解,得到铸膜液;2)薄膜制备:铸膜液通过涂布机在基材上涂布,进入三段烘箱干燥,干燥后进入水槽淬火,剥离棍剥离,定向热拉伸后退火,收卷,得到薄膜产品。本发明的制备工艺选用表面处理过的铝箔、聚酯薄膜等柔性耐高温材料作为涂布基材,采用集熔融淬火、拉伸退火于一体的流程化处理方法,避免了单一方法带来的缺点,为聚偏氟乙烯介电薄膜的工业化生产提供重要参考。本发明得到的聚偏氟乙烯薄膜β相含量高,厚度薄且均一,具有介电常数高、击穿强度大等优异性能,有望应用于高储能电子器件的制作。
基本信息
专利标题 :
一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108070096A
申请号 :
CN201611013954.1
公开(公告)日 :
2018-05-25
申请日 :
2016-11-18
授权号 :
CN108070096B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
李义涛张凌飞邹智杰程宗盛黄连红
申请人 :
东莞东阳光科研发有限公司
申请人地址 :
广东省东莞市长安镇上沙振安路368号东阳光科技园
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201611013954.1
主分类号 :
C08J5/18
IPC分类号 :
C08J5/18 C08L27/16
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C08
有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
C08J
加工;配料的一般工艺过程;不包括在C08B,C08C,C08F,C08G或C08H小类中的后处理
C08J5/00
含有高分子物质的制品或成形材料的制造
C08J5/18
薄膜或片材的制造
法律状态
2022-04-29 :
授权
2019-11-12 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08J 5/18
申请日 : 20161118
申请日 : 20161118
2018-05-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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