一种电介质薄膜介电性能调控方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种电介质薄膜介电性能调控方法，该方法首先制备聚多巴胺包覆钛酸钡核壳结构颗粒；进一步在惰性气体下高温煅烧核壳结构颗粒，使壳层聚多巴胺碳化形成碳包覆层；最后将碳包覆的钛酸钡杂化颗粒与P(VDF‑CTFE)基体复合得到电介质薄膜。该方法通过引入不同电导率界面层，产生不同程度的界面极化效应，在低的填料添加量下提高了介电常数，同时保持较低的介电损耗，工艺简单，成本低廉，易于实现。
基本信息
专利标题 ：
一种电介质薄膜介电性能调控方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267539A
申请号 ：
CN202111542758.4
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张烜赫叶会见徐立新
申请人 ：
浙江工业大学;平湖市浙江工业大学新材料研究院
申请人地址 ：
浙江省杭州市拱墅区潮王路18号
代理机构 ：
杭州天正专利事务所有限公司
代理人 ：
黄美娟
优先权 ：
CN202111542758.4
主分类号 ：
H01G4/12
IPC分类号 ：
H01G4/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 4/12
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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