高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法，该薄膜的化学式为(TiO2)x(Al2O3) 1－x，其中x的取值范围为0.1≤x≤0.3，其制备方法是启动脉冲激光器(1)，使脉冲激光束通过聚焦透镜(9)将激光束聚焦在TAO陶瓷靶材(8)上，用脉冲激光剥离TAO陶瓷靶材(8)，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得铝酸钛薄膜，物理厚度为5nm的该非晶态薄膜，具有较高的热力学稳定性，其介电常数为17.8，等效氧化物厚度为1.25nm，漏电流为2.76×10－4A/cm2，界面层仅为1－2个原子层厚度。
基本信息
专利标题 ：
高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1862827A
申请号 ：
CN200610038030.7
公开（公告）日 ：
2006-11-15
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘治国石磊
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
210093江苏省南京市汉口路22号
代理机构 ：
南京苏高专利事务所
代理人 ：
阙如生
优先权 ：
CN200610038030.7
主分类号 ：
H01L29/51
IPC分类号 ：
H01L29/51 H01L21/283 H01L21/314 C23C14/22
法律状态
2012-03-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101212909999
IPC(主分类) : H01L 29/51
专利号 : ZL2006100380307
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20110125
号牌文件序号 : 101212909999
IPC(主分类) : H01L 29/51
专利号 : ZL2006100380307
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20110125
2008-11-19 ：
授权
2007-01-10 ：
实质审查的生效
2006-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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