基于锆钛酸铅的PVDF薄膜诱导制备方法、PVDF薄膜及应...
公开
摘要
本发明公开一种基于锆钛酸铅的PVDF薄膜诱导制备方法、PVDF薄膜及应用。所述方法包括：步骤1、配制PVDF溶液；步骤2、极化PZT薄膜；步骤3、PVDF成膜。该方法通过极化后的PZT诱导单一取向以及高β晶向含量的PVDF薄膜生长。制备的PVDF薄膜压电常数和机电耦合系数更高，能够应用于压电晶体滤波器、摩擦纳米发电机、传感器、制动器以及生物应用等多个领域，适用性更好。
基本信息
专利标题 ：
基于锆钛酸铅的PVDF薄膜诱导制备方法、PVDF薄膜及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300612A
申请号 ：
CN202111573156.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王浩彬邝昊泽骆季奎汪小知
申请人 ：
海宁市产业技术研究院
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双富路28号科创中心D座1502室
代理机构 ：
浙江永航联科专利代理有限公司
代理人 ：
江程鹏
优先权 ：
CN202111573156.5
主分类号 ：
H01L41/257
IPC分类号 ：
H01L41/257 H01L41/187 H01L41/193
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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