钙钛矿薄膜及其低温制备方法、器件
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种钙钛矿薄膜及其制备方法和一种器件，包括：制备缓冲层，所述缓冲层的表层材料具有钙钛矿结构；在所述缓冲层表面制备具有钙钛矿结构的核心薄膜；所述缓冲层的制备温度小于等于所述核心薄膜的制备温度。所述制备方法能够在较低的制备温度下获得高质量的钙钛矿结构薄膜。
基本信息
专利标题 ：
钙钛矿薄膜及其低温制备方法、器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438450A
申请号 ：
CN202210039023.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘悦马有草宋健赵玉垚
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市徐汇区华山路1954号
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN202210039023.8
主分类号 ：
C23C14/08
IPC分类号 ：
C23C14/08 C23C14/35 C23C14/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/08
氧化物
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/08
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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