磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件，该薄膜包括：基片；平滑层，设置在基片上；钴基铁磁层，设置在平滑层上，具有体心立方结构，用于与平滑层晶格匹配；锰基反铁磁层，设置在钴基铁磁层上，用于诱导钴基铁磁层的垂直磁各向异性；覆盖层，设置在锰基反铁磁层上，用于保护磁性薄膜。
基本信息
专利标题 ：
磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335327A
申请号 ：
CN202111680187.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵旭鹏韩荣坤赵建华
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
樊晓
优先权 ：
CN202111680187.0
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/06 H01L43/10 H01L43/14
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/08
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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